美国*微波高Q电容*电容

*高Q低损耗射频电容

*高Q 使用低损耗电容产品使射频功率放大器更容易*功率输出和和效率。例如，用低损射频片状电容作耦合，可以实现*大的放大器功率输出和效率。对于目前的射频半导体设备， 例如便携手持设备的单片微波集成电路，尤其是如此。许多这种设备的输入阻**低，因此输入匹配电路中电容的*R损耗在*网络的阻*中占了很大的百分比。如果设备输入阻*是1欧姆而电容*R是0.8欧姆，约40％的功率将由于*R损耗而被电容消耗掉。这将减低效率和输出功率。

       高射频功率应用也需要低损耗电容,这方面的典型应用是要使一个高射频功率放大器和动态阻*相匹配。例如半导体等离子炉需要高射频功率匹配，设计匹配网络时使用了电容。负载从接近*的低阻*大幅度摆动到接近开路，导致匹配网络中产生大电流，使电容负荷剧增。这种情况使用*损耗电容，例如*的100系列陶瓷电容，*为理想。

*高Q低损耗射频电容的优点:
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*在*射频电路设计中，选用低损耗（**R）片状电容都是一项重要考虑。以下是几种应用中低损耗电容的优点。在手持便携式发射设备的末级功率放大器内使用低损耗电容作场效应晶体管源*旁路和漏*耦合，可以延长电池寿命。*R高的电容增加I2*R损耗，浪费电池能量。