GDDRQ高压滤波电容、滤波电容器

特征用途：该电容器为干式直流高压电容器。具有体积小、重量轻、携带方便，泄漏电流甚微，外壳*缘等特点，采用灌注新工艺，可*电容器稳定*运行。该电容器可在不同等级直流试验中做滤波之用，亦可做倍压电容之用，还可简单地实现电容器串并组合以满足不同等级试验的要求。
高压滤波电容主要技术指标：

1．电容器允许偏差：&plu*n;5％；&plu*n;10％。

　2．*缘电阻：>2×1010Ω。　

3．试验电压：≤100KV，1.2倍额定直流工作电压。　>100KV,1.1倍额定直流工作电压。　

4．高压滤波电容环境温度：-40℃～ 60℃。　特征用途：该电容器为干式直流高压电容器。具有体积小、重量轻、携带方便，泄漏电流甚微，外壳*缘等特点，采用灌注新工艺，可*电容器稳定*运行。该电容器可在不同等级直流试验中做滤波之用，亦可做倍压电容之用，还可简单地实现电容器串并组合以满足不同等级试验的要求。

1． GDDRQ高压滤波电容特征用途： 该电容器可在不同等级直流试验中做滤波之用，亦可做倍压电容之用，还可简单地实现电容器串并组合以满足不同等级试验的要求。

2．产品外形尺寸及规格：

3、高压滤波电容主要技术指标：

1．电容器允许偏差：&plu*n;5％；&plu*n;10％。
2．*缘电阻：>2×1010Ω。
3．试验电压：≤100KV，1.2倍额定直流工作电压。
>100KV,1.1倍额定直流工作电压。
4．环境温度：-40℃～ 60℃。