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产品属性
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产品详细描述:
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型MOS管
VDS= 20V
RDS(ON), , = 40mΩ
RDS(ON), , Ids@6A = 30mΩ
Features特性
Advanced trench process technology高级的*技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance*低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability大功率高电流
Ideal for Li ion battery pack applications锂电池的理想选择
关于永吉茂:
深圳市永吉茂科技有限公司,专营低压MOS贴片。原厂原装,台产价格,*。
SOT-23封装系列: 3416等等
SOP-8封装系列:等等
DC-DC系列:等
可替代萬代*童威士等国际知名品牌!!!
:陈壮辉
销售:-805
传真:-805
"GT
GT
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道