可控硅

可控硅(SCR)

可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、*等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

概念

可控硅又称晶闸管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶 闸管、快速晶闸管，等等。 　　

可控硅整流器件是一种*重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。可控硅器件与双*型晶体管有密切的关系，二者的传导过程皆牵涉到电子和空穴，但可控硅的开关机制和双*晶体管是不同的，且因为器件结构不同，可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。现今的可控硅器件的额定电流可以从几毫安到5000A以上，额定电压可以*过10000V。下面将讨论基本可控硅器件的工作原理，然后给出一些高功率和高频率的可控硅器件。

结构

今*家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电*〔图2(a)〕：*层P型半导体引出的电*叫阳*A，第三层P型半导体引出的电*叫控制*G，第四层N型半导体引出的电*叫阴*K。从晶闸管的电路*号〔图2(b)〕可以看到，它和二*管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制*G，这就使它具有与二*管*不同的工作特性。 　　

以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管*初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR. 　　

在性能上,可控硅不*具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"*硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态. 　　

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果*过此频率,因元件开关损耗显着增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用. 　　

可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数*几十*;反应*快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等. 　　

可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通. 　　

可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形. 　　

可控硅元件的结构 　　

不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳*A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制*G,所以它是一种四层三端的半导体器件.

可控硅元器件的工作原理

　　可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如右图所示

晶闸管的主要工作特性

　　为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳*A是接电源的正*，阴*K接电源的负*，控制*G通过按钮开关*接在1.5V直流电源的正*(这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正*)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳*和控制*所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关*，给控制*输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳*A与阴*K之间外加正向电压，二是在它的控制*G与阴*K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。

晶闸管的特点 “*发”。但是，如果阳*或控制*外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制*的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳*电源(图3中的开关S)或使阳*电流小于维持导通的*小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳*和阴*之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过*时，晶闸管会自行关断。

　　用万用表可以区分晶闸管的三个电*吗?怎样测试晶闸管的好坏呢? 　　普通晶闸管的三个电*可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二*管，G为正*、K为负*，所以，按照测试二*管的方法，找出三个*中的两个*，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制*G，红表笔接的是阴*K，剩下的一个就是阳*A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关*，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。

可控整流 普通晶闸管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二*管整流电路属于不可控整流电路。如果把二*管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从*值开始到触发脉冲到来*所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。

无触点开关 可控硅的功用不*是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。

常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三*管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。可控硅的主要参数 　　可控硅的主要参数有：平均值 　　

1、 额定通态平均电流IT在*条件下，阳*---阴*间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 　　

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制*开路未加触发信号，阳*正向电压还未*过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能*过手册给出的这个参数值。 　　

3、 反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能*过手册给出的这个参数值。 　　

4、 控制*触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳*---阴*间加有*电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的*小控制*电流和电压。 　　

5、 维持电流IH在规定温度下，控制*断路，维持可控硅导通所*需的*小阳*正向电流。 　　

■近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

可控硅有多种分类方法。 　　

（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门*关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。 　　

（二）按引脚和*性分类：可控硅按其引脚和*性可分为二*可控硅、三*可控硅和四*可控硅。 　　

（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。 　　

(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

　　过*触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过*点触发，*须是过*点才触发，导通可控硅。 　　非过*触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

电流

　　1. 额定通态电流（IT)即*大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。

耐压

　　2. 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。

触发电流

　　3. 控制*触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。 　　额定正向平均电流 　　4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴*和阳*的电流平均值

　　常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-*、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等

　　普通晶闸管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二*管整流电路属于不可控整流电路。如果把二*管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以*简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制*没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制*外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形(c)及(d)，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制*上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从*值开始到触发脉冲到来*所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。 　　1:小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A。 　　2：大；*率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。 　　3：大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。

可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电*---阳*（A）阴*（C）和控制*（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二*度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制*的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制*加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳*电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 　　

可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。 　　

*先，可以把从阴*向上数的*、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳*和阴*之间加上一个正向电压Ea，又在控制*G和阴*C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基*电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电*电流IC1。因为BG1集电*与BG2基*相连，IC1又是BG2的基*电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电*电流IC2送回BG1的基*放大。如此循环放大，直到BG1、BG2*导通。实际这一过程是“*发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制*，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。 　　

可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基*的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，*保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电*电流小于维持导通的*小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea*性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳*电压大到*过*值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。 　　

可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二*管的重要特征。 　　

普通可控硅的三个电*可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结(a)，相当于一个二*管，G为正*、K为负*，所以，按照测试二*管的方法，找出三个*中的两个*，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制*G，红表笔接的是阴*K，剩下的一个就是阳*A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关*，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。 　　

鉴别可控硅三个*的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个*之间的电阻值就可以。 　　阳*与阴*之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳*和控制*之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳*和控制*正反向*通）。 　　

控制*与阴*之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制*二*管特性是不太理想的，反向不是*呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制*反向电阻比较小，并不能说明控制*特性不好。另外，在测量控制*正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，*电压过高控制*反向击穿。 　　

若测得元件**正反向已短路，或阳*与控制*短路，或控制*与阴*反向短路，或控制*与阴*断路，说明元件已损坏。 　　

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不*是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作*等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

　　主要厂家品牌：TK，KCD，ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，REN*AS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，台基，杰宝莱，长电等。

IT(*)--通态平均电流 　　

VRRM--反向重复峰值电压

IDRM--断态重复峰值电流 　　

ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流 　　

VTM--通态峰值电压 　　

IGT--门*触发电流 　　

VGT--门*触发电压 　　

IH--维持电流 　　

dv/dt--断态电压临界上升率 　　

di/dt--通态电流临界上升率 　　

Rthjc--结壳热阻 　　

VISO--模块*缘电压 　　

Tjm--额定结温 　　

VDRM--通态重复峰值电压 　　

IRRM--反向重复峰值电流 　　

IF(*)--正向平均电流

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