DBC

陶瓷覆铜板，英文名称：Direct Bonding Copper ,英文简写为DBC或DCB，是指在惰性气体中铜箔和陶瓷基片通过高温熔炼和扩散过程而形成的一种高导热、高*缘强度的电气复合材料。在功率电子行业中依托该材料发展出了模块封装芯片互联技术，带动功率电子产品朝着高功率密度、多功能*、**的方向发展。

陶瓷覆铜板的产品*性：

l 铜箔和陶瓷直接结合，导热性好，氧化铝-DBC热导率为24~28 W/(m·K)，AlN-DBC为170~220 W/(m·K) 。

l 陶瓷基片的稳固性使DBC在各种使用条件下都具有十分优异的*缘性能。

l 和硅接近的热膨胀系数可以使焊接在上面的半导体芯片避免承受温度变化带来的应力冲击，从而大幅度延长半导体产品寿命。

l 可以像PCB一样容易的*出各类图形和线路，较强的电流导通能力使电力电子产品轻松地实现板上芯片互联功能，*高载流量可达100安培/毫米。

陶瓷覆铜板的应用

l 家用电器的*控制

l 工业电气的*控制

l 风能、太阳能等新能源行业的输送

l 新型太阳能电池板

DCB特性参数

项目名称	单位	测试条件	参数
*缘电阻	MΩ		≥1
*缘电压	V_AC_（.RMS）	1min	≥3000
*拉强度	kN/cm²		≥5
*剥强度	N/mm		≥6
热导率	W/m.k	室温20℃	24～28
热膨胀系数	1×10^-6/℃	50～200℃	≤7.4
适应温度范围	℃		-40～+200
氢脆变温度	℃		400

DCB平面度公差值

DCB对角线

长度L（毫米）

200～250

150～200

110～150

80～110

60～80

40～60

20～40

＜20

公差值(mm)

≤1.0

≤0.8

≤0.6

≤0.4

≤0.2

≤0.1

≤0.05

≤0.03

陶瓷基片特性参数

项目名称	单位	测试条件	参数
Al₂O₃含量	%		≥96
*缘电压	kV/mm		≥12
介电常数		25℃ 1MHz	≥9.2
介电损耗角正切		25℃ 1MHz	≤3×10^-4
热导率	W/m.k	室温20℃	≥22
热膨胀系数	1×10^-6/℃	20℃～500℃	≤6.7
密度	g/cm³		≥3.7

型号/规格

5.5*7.5英寸

品牌/商标

华顺

供应DBC