供应FQPF2N60C场效应管

地区:广东 汕头
认证:

汕头市华瑞电子有限公司

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产品: General Purpose MOSFETs
晶体管*性: N-Channel
电阻基*/源* RDS(导通): 4.7 Ohm @ 10 V
基*/源*击穿电压: 600 V
漏*连续电流: 2 A
功率耗散: 23000 mW
闸/源击穿电压: + /- 30 V
正向跨导 gFS(*大值/*小值): 5 S
封装/箱体: TO-220F

 

型号/规格

FQPF2N60C

品牌/商标

Fairchild

封装形式

TO-220

*类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征