世界集成电路发展历史
1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；
集成电路
1950年：结型晶体管诞生
1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺
1951年：场效应晶体管发明
1956年：C S Fuller发明了扩散工艺
1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；
1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺
1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺
1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍
1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义
1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司
1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明
1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世
1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临
1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM
1985年：80386微处理器问世，20MHz
1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段
1989年：1Mb DRAM进入市场
1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺
1992年：64M位随机存储器问世
1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺
