原装场效应SPA11N80C3

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：CoolMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：450 毫欧 @ 7.1A, 10V
漏*源*电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：11A

Id 时的 Vgs(th)（*大）：3.9V @ 680µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：85nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1600pF @ 100V
功率 - *大：41W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220FP
包装：管件
供应商设备封装：TO-220FP
其它名称：SPSPA11N80C3INSPA11N80C3XSPA11N80C3XKSPA11N80C3XTINSPA11N80C3XTIN-ND

型号/规格

SPA11N80C3

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

TO-220F

*类别

无铅*型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特性

*率

频率特性

中频

*性

PNP型

供应原装 场效应SPA11N80C3

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