铟镓砷探测器(InGaAs)

新势力光电供应铟镓砷探测器(InGaAs)，*探测直径可达3mm，具有低暗电流和高灵敏度的特点，封装形式包括：TO针脚形式和SMD贴片形式。其中，可见光增强模块可选。

InGaAs detectors (high sensitivity up to 1700nm)
T*e No.		Active area		Dark current	Spectral responsivity		Waveband
Chip	Package	Size	Area	5V	650nm	1550nm	-
Chip	Package	mm	mm2	nA	A/W	A/W	nm
PC0.7-i	LCC6.1	1.0	0.7	2	0.05	0.95	900-1700
PC0.7-i	TO52S1	1.0	0.7	2	0.05	0.95	900-1700
PC0.7-ix	LCC6.1	1.0	0.7	2	0.3	0.95	600-1700
PC0.7-ix	TO52S1	1.0	0.7	2	0.3	0.95	600-1700
PC2.6-i	TO5i	2.0	2.6	10	0.05	0.95	900-1700
PC7.1-i	TO5i	3.0	7.1	25	0.05	0.95	900-1700

updated:2012-07-28
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供应铟镓砷探测器(InGaAs)