简介
2SC3356硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHJF，UHF，CATV高频宽带低噪声放大器。
参数
类别：NPN-硅通用晶体管
集电*-发射*电压VCEO：12V
集电*-基*电压VCBO:20V
发射*-基*电压VEBO:3.0V
集电*直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
直流放大系数hFE:50~300
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:7.0GHz
封装：SOT-23
功率特性：*率
*性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
集电*允许电流：0.1（A）
集电**大允许耗散功率：0.2（W）
