ST 贴片 二三*管 5819
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | ST意法半导体 |
型号/规格 | 5819 | 结构 | 肖特基 |
材料 | 锗(Ge) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 陶瓷封装 | 功率特性 | 小功率 |
频率特性 | 低频 |
肖特基二*管
常用在整流器中,正向导通电压小,没有反向恢复时间
整流二*管
反向恢复:二*管正向导通后在很短时间内能够反向流过电流这段时间叫反向恢复时间,这对变换器的效率*不利
但并不是越快越好,会产生快速的电压电流尖锋
晶体管(BJT)
脉冲电流:一般BJT上不会提到脉冲电流(除非专为电源设计),取额定直流电流的两倍
放大倍数:一般假定为10,不管手册数据如何
晶体管(MOSFET)
功率损耗:导通损耗+门*充电损耗+开关导通损
导通损耗:当MOSFET*导通时漏源*之间存在一个电阻,导通损耗大小取决于管中电流大小,而且电阻随温升*
门*充电损耗:由于MOSFET有一个相当大的等效门*电容引起
开关导通损:在开通或关断转换的任何时候,晶体管上同时既有电压又有电流产生功率损耗
*大门*电压:通常20V
ST意法半导体
5819
贴片型
小功率
低频