GBU810，GBU810整流桥

　　GBU810参数：

　　最大重复峰值反向电压：1000V

　　最大正向平均整流电流：8.0A

　　正向峰值浪涌电流@8.3m正弦半波：200A

　　最大正向电压@Ta=25℃：1.1V,8.0A

　　最大反向电流VrrmTa=25℃：5.0uA

　　封装形式：GBU

　　整流桥结构：

　　整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接，两只的为半桥，四只的则称全桥。外部采用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热性能。

　　整流桥分类：

　　整流桥具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子电路中应用 非常广泛.常用的小功率整流桥有全桥和半桥之分.全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式, 常见的型号有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半桥有三种结构:一种是将两只二极 管顺向串联,在结点处引出一电极(如 2CQ1 型),另一 种是将两只二极管背靠背式反极性连接(称共阴式,如 2CQ2 型);第三种是将两只二极管头碰头式反极性连接(称共阳式,如 2CQ3 型).

　　常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市，公司是专业的二极管及桥堆生产厂家，下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司；安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产，形成了集科工贸一体的股份合作制企业。