P4KE200,P4KE200瞬态抑制二极管

地区:江苏 常州
认证:

常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

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  P4KE200参数:

  击穿电压:最小180V,最大220V,It:1mA

  关断电压:162V

  最大反向电流:5uA

  最大峰值电压:1.5A

  最大箝位电压:287V

  温度系数:0.108℃

  耗散功率:400W

  封装形式:DO-41


  更多型号参数如下:


Type 

V(BR)@IT(V)
  Min 

V(BR)@IT(V)
  Max 

IT(mA) 

VWM(V) 

IDM@VWM(μA) 

IPPM(A) 

VC@IPPM(V) 

αV(BR)(%/

Case Style 

P4KE6.8 

6.12 

7.48 

10 

5.5 

1000 

37 

10.8 

0.057 

DO-41 

P4KE6.8A 

6.45 

7.14 

10 

5.8 

1000 

38.1 

10.5 

0.057 

DO-41 

P4KE7.5 

6.75 

8.25 

10 

6.05 

500 

34.2 

11.7 

0.061 

DO-41 

P4KE7.5A 

7.13 

7.88 

10 

6.4 

500 

35.4 

11.3 

0.061 

DO-41 

P4KE8.2 

7.38 

9.02 

10 

6.63 

200 

32 

12.5 

0.065 

DO-41 

P4KE8.2A 

7.79 

8.61 

10 

7.02 

200 

33.1 

12.1 

0.06 

DO-41 

P4KE9.1 

8.19 

10 

7.37 

50 

29 

13.8 

0.068 

DO-41 

P4KE9.1A 

8.65 

9.55 

7.78 

50 

29.9 

13.4 

0.068 

DO-41 

P4KE10 

11 

8.1 

10 

26.7 

15 

0.073 

DO-41 

P4KE10A 

9.5 

10.5 

8.55 

10 

27.6 

14.5 

0.073 

DO-41 

P4KE11 

9.9 

12.1 

8.92 

24.7 

16.2 

0.075 

DO-41 

P4KE11A 

10.5 

11.6 

9.4 

25.6 

15.6 

0.075 

DO-41 


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型号/规格

P4KE200

品牌/商标

中光

封装形式

DO-41

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装