供应肖特基二*管*R10200F* *R10200* *L10200*

 肖特基二*管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正*，以N型半导体B为负*，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有*少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起*宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动*相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳*使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，*管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴*层，其作用是减小阴*的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳*金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳*金属接电源正*，N型基片接电源负*）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二*管也已问世，这不*可节省贵金属，大幅度降*，还*了参数的一致性。