供应开关用贴片二*管，优质*开关用贴片二*管

一、开关用贴片二*管参数：

　　晶体管类型: NPN
　　电流 - 集电* (Ic)（*大）: 200mA
　　电压 - 集电*发射*击穿（*大）: 40V
　　Ib、Ic条件下的Vce饱和度（*大）: 300mV @ 5mA, 50mA
　　在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
　　功率 - *大: 250mW
　　频率 - 转换: 300MHz
　　安装类型: 表面贴装
　　封装/外壳: 3-UFDFN
　　供应商设备封装: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
　　包装: 带卷 (TR)

二、开关用贴片二*管工作原理：

        晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在*反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到*程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度*临界值产生载流子的*过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。