供应SMD二*管，优质*SMD二*管品牌*

一、SMD二*管参数：

　　晶体管类型: NPN
　　电流 - 集电* (Ic)（*大）: 200mA
　　电压 - 集电*发射*击穿（*大）: 40V
　　Ib、Ic条件下的Vce饱和度（*大）: 300mV @ 5mA, 50mA
　　在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
　　功率 - *大 :300mW
　　频率 - 转换 :300MHz
　　安装类型 :表面贴装
　　封装/外壳 :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
　　供应商设备封装 :SOT-23-3
　　包装 剪切带 :(*)

二、SMD二*管击穿：
　　外加反向电压*过某一数值时，反向电流会突然*，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二*管反向击穿电压。电击穿时二*管失去单向导电性。如果二*管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不*会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二*管就损坏了。因而使用时应避免二*管外加的反向电压过高。

　　设备展示：

　　公司简介：

　　常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市，公司是*的二*管及桥堆生产厂家，下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司；安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产，形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力，*的制造设备、完善的检测手段及*的售后服务，通过了 ISO9001:2000质量体系管理认证、SGS *检测认证及*I认证，从而为客户提供优质的产品和*的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标，产品广泛应用于*及民用领域，为国内多家彩电、*灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务，并远销欧美及东南亚地区，在客户中取得了良好的信誉。

　　公司目标：
　　为客户提供*的二*管全系列产品是全体员工的*圣使命
　　公司愿景：
　　将公司打造成为国际*的半导体分立器件供应商
　　公司方针：
　　以人为本 顾客至上