供应BZX84C68CC稳压二*管，BZX84C68CC二*管

　　BZX84C68CC稳压二*管特性：

　　表面材料：硅

　　封装：SOT-23塑封

　　应用：蜂窝移动设备、手持式便携仪器等

　　齐纳击穿电压范围：2.4v~75v

　　功率损耗：350mW

　　存储温度范围：-65℃~150℃

　　BZX84CXXXCC系列稳压二*管参数：

　　二*管击穿有哪3种情况？

　　二*管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。

　　（1）雪崩击穿

　　对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到*数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地**，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。

　　（2）齐纳击穿

　　对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。

　　（3）热击穿

　　在使用二*管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升高，电流变大，循环反复的结果，*过PN结的允许功耗，使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二*管将发生永久性损坏。

　　对于硅PN结，击穿电压在7V以上的为雪崩击穿；4V以下的为齐纳击穿；在4～7V之间的两种情况都有。无论哪种击穿，只要控制反向电流的数值不致引起热击穿，当反向电压下降到击穿电压以下，其性能可以恢复到未击穿前的状况。