供应350mW稳压二*管，BZX84C3V9CC稳压二*管

　　BZX84C3V9CC稳压二*管特性：

　　表面材料：硅

　　封装：SOT-23塑封

　　应用：蜂窝移动设备、手持式便携仪器等

　　齐纳击穿电压范围：2.4v~75v

　　功率损耗：350mW

　　存储温度范围：-65℃~150℃

　　BZX84CXXXCC系列稳压二*管参数：

　　二*管主要参数

　　用来表示二*管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二*管的参数。不同类型的二*管有不同的特性参数。对初学者而言，*须了解以下几个主要参数：

　　1、*大整流电流

　　是指二*管长期连续工作时允许通过的*大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度*过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二*管使用中不要*过二*管*大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二*管的额定正向工作电流为1A。

　　2、*高反向工作电压

　　加在二*管两端的反向电压高到*值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了*使用*，规定了*高反向工作电压值。例如，IN4001二*管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

　　3、反向电流

　　反向电流是指二*管在规定的温度和*高反向电压作用下，流过二*管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流*一倍。例如2AP1型锗二*管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不*失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二*管，25℃时反向电流*为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二*管比锗二*管在高温下具有较好的稳定性。

　　4.动态电阻Rd

　　二*管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。