供应MM1Z5258C稳压二*管，MM1Z5258C稳压管

　　MM1Z5258C稳压二*管特性：

　　总功耗：500mW

　　齐纳击穿电压范围：±2%

　　封装：SOD-123

　　表面材料：硅

　　结点温度：150℃

　　存储温度范围：-55℃~150℃

　　MM1Z52系列属性：

　　二*管按构造分类：

　　半导体二*管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二*管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二*管分类如下：

　　点接触型二*管

　　点接触型二*管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二*管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。

　　键型二*管

　　键型二*管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二*管和合金型二*管之间。与点接触型相比较，虽然键型二*管的PN结电容量稍有增加，但正向特性*优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二*管中，熔接金丝的二*管有时被称金键型，熔接银丝的二*管有时被称为银键型。

　　合金型二*管

　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。

　　扩散型二*管

　　在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。*近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

　　台面型二*管

　　PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其*要的部分，把不*要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现*面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

　　平面型二*管

　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上*选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以*为是稳定性好和寿命长的类型。*初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二*管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

　　合金扩散型二*管

　　它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把*制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二*管。

　　外延型二*管

　　用外延面长的过程制造PN结而形成的二*管。制造时需要*高*的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二*管。

　　肖特基二*管

　　基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其*是：开关速度*快：反向恢复时间trr*地短。因此，能制作开关二*和低压大电流整流二*管。