供应500mW稳压二*管，MM1Z5239C稳压二*管

　　MM1Z5239C稳压二*管特性：

　　总功耗：500mW

　　齐纳击穿电压范围：±2%

　　封装：SOD-123

　　表面材料：硅

　　结点温度：150℃

　　存储温度范围：-55℃~150℃

　　MM1Z52系列属性：

　　稳压二*管正向使用与反向使用的区别

　　稳压二*管正向导通使用时，与一般二*管正向导通使用时基本相同，正向导通后两端电压也是基本不变的，都约为0.7V。从理论上讲，稳压二*管也可正向使用做稳压管用，但其稳压值将低于1V，且稳压性能也不好，一般不单独用稳压管的正向导通特性来稳压，而是用反向击穿特性来稳压。反向击穿电压值即为稳压值。有时将两个稳压管串联使用，一个利用它的正向特性，另一个利用它的反向特性，则既能稳压又可起温度补偿作用，以*稳压效果。

　　设备展示：

　　公司简介：

　　常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市，公司是*的二*管及桥堆生产厂家，下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司；安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产，形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力，*的制造设备、完善的检测手段及*的售后服务，通过了 ISO9001:2000质量体系管理认证、SGS *检测认证及*I认证，从而为客户提供优质的产品和*的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标，产品广泛应用于*及民用领域，为国内多家彩电、*灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务，并远销欧美及东南亚地区，在客户中取得了良好的信誉。

　　公司目标：
　　为客户提供*的二*管全系列产品是全体员工的*圣使命
　　公司愿景：
　　将公司打造成为国际*的半导体分立器件供应商
　　公司方针：
　　以人为本 顾客至上