供应MM1Z5252C稳压二*管,MM1Z5252C二*管

地区:江苏 常州
认证:

常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

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  MM1Z5252C稳压二*管特性:

  总功耗:500mW

  齐纳击穿电压范围:±2%

  封装:SOD-123

  表面材料:硅

  结点温度:150℃

  存储温度范围:-55℃~150℃

  MM1Z52系列属性:

MM1Z52系列

 

 

  二*管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二*管(Ge管)和硅二*管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二*管、整流二*管、稳压二*管、开关二*管、隔离二*管、肖特基二*管、发光二*管、硅功率开关二*管、旋转二*管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二*管、面接触型二*管及平面型二*管。点接触型二*管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不*过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二*管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二*管是一种*的硅二*管,它不*能通过较大的电流,而且性能稳定*,多用于开关、脉冲及高频电路中。

 

型号/规格

MM1Z5252C

品牌/商标

中光

封装形式

SOD-123

*类别

无铅*型

安装方式

贴片式

包装方式

散装