供应晶体二*管MM1Z5254C，二*管MM1Z5254C

　　MM1Z5254C稳压二*管特性：

　　总功耗：500mW

　　齐纳击穿电压范围：±2%

　　封装：SOD-123

　　表面材料：硅

　　结点温度：150℃

　　存储温度范围：-55℃~150℃

　　MM1Z52系列属性：

　　二*管又称晶体二*管,简称二*管(diode)，另外，还有早期的真空电子二*管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二*管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二*管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于*时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二*管特性。