供应稳压管MM1Z5236C，生产稳压二*管

　　MM1Z5236C稳压管特性：

　　总功耗：500mW

　　齐纳击穿电压范围：±2%

　　封装：SOD-123

　　表面材料：硅

　　结点温度：150℃

　　存储温度范围：-55℃~150℃

　　MM1Z52系列属性：

　　稳压管的主要参数：

　　（1） 稳定电压VZ

　　Vz稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。不同型号的稳压管其Vz的范围不同；同种型号的稳压管也常因工艺上的差异而有*的分散性。所以，Vz一般给出的是范围值，例如2CW11的Vz在3.2～4.5V （测试电流为10mA）。当然，二*管（包括稳压管）的正向导通特性也有稳压作用，但稳定电压只有0.6～0. 8V，且随温度的变化较大，故一般不常用。

　　（2）稳定电流IZ

　　IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。Iz 通常在*小稳定电流IZmin与*大稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的*小电流，电流低于此值时，稳压效果差；IZmax是指稳压管稳定工作时的*大允许电流，*过此电流时，只要*过额定功耗，稳压管将发生永久性击穿。故一般要求 IZmin＜ Iz ＜ IZmax 。

　　（3）动态电阻rZ

　　rZ是指在稳压管正常工作的范围内，电压的微变量与电流的微变量之比。rZ 越小，表明稳压管性能越好。

　　（4）额定功耗PZ

　　Pz是由管子温升所决定的参数， Pz＝Vz IZmax 。

　　（5）温度系数α

　　α是指Vz受温度影响的程度。硅稳压管在VZ＜4V时α＜0；在VZ＞7V时，α＞0；在VZ = 4～7V时，α很小

　　设备展示：

　　公司简介：

　　常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市，公司是*的二*管及桥堆生产厂家，下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司；安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产，形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力，*的制造设备、完善的检测手段及*的售后服务，通过了 ISO9001:2000质量体系管理认证、SGS *检测认证及*I认证，从而为客户提供优质的产品和*的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标，产品广泛应用于*及民用领域，为国内多家彩电、*灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务，并远销欧美及东南亚地区，在客户中取得了良好的信誉。

　　公司目标：
　　为客户提供*的二*管全系列产品是全体员工的*圣使命
　　公司愿景：
　　将公司打造成为国际*的半导体分立器件供应商
　　公司方针：
　　以人为本 顾客至上