供应MM1Z5243C稳压二*管，SOD-123稳压二*管

　　MM1Z5243C稳压二*管特性：

　　总功耗：500mW

　　齐纳击穿电压范围：±2%

　　封装：SOD-123

　　表面材料：硅

　　结点温度：150℃

　　存储温度范围：-55℃~150℃

　　MM1Z52系列属性：

　　二*管的工作原理

　　晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在*反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到*程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度*临界值产生载流子的*过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

　　设备展示：

　　公司简介：

　　常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市，公司是*的二*管及桥堆生产厂家，下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司；安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产，形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力，*的制造设备、完善的检测手段及*的售后服务，通过了 ISO9001:2000质量体系管理认证、SGS *检测认证及*I认证，从而为客户提供优质的产品和*的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标，产品广泛应用于*及民用领域，为国内多家彩电、*灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务，并远销欧美及东南亚地区，在客户中取得了良好的信誉。

　　公司目标：
　　为客户提供*的二*管全系列产品是全体员工的*圣使命
　　公司愿景：
　　将公司打造成为国际*的半导体分立器件供应商
　　公司方针：
　　以人为本 顾客至上