供应MM5Z4V3B稳压管,MM5Z4V3B稳压二*管

地区:江苏 常州
认证:

常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

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  MM5Z4V3B稳压二*管特性:

  高*性

  *大功耗:200mW

  表面材料:硅

  封装:SOD-523

  MM5Z系列稳压二*管参数:

MM5Z系列稳压二*管参数

 

  二*管主要参数

  用来表示二*管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二*管的参数。不同类型的二*管有不同的特性参数。对初学者而言,*须了解以下几个主要参数:

  1、*大整流电流

  是指二*管长期连续工作时允许通过的*大正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度*过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二*管使用中不要*过二*管*大整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二*管的额定正向工作电流为1A。

  2、*高反向工作电压

  加在二*管两端的反向电压高到*值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了*使用*,规定了*高反向工作电压值。例如,IN4001二*管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。

  3、反向电流

  反向电流是指二*管在规定的温度和*高反向电压作用下,流过二*管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流*一倍。例如2AP1型锗二*管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不*失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二*管,25℃时反向电流*为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二*管比锗二*管在高温下具有较好的稳定性。

  4.动态电阻Rd

  二*管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。

 

型号/规格

MM5Z4V3B

品牌/商标

中光

封装形式

SOD-523

*类别

无铅*型

安装方式

贴片式

包装方式

散装