供应稳压二*管MM3Z9B1,二*管MM3Z9B1

地区:江苏 常州
认证:

常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

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  MM3Z9B1稳压二*管参数:

  表面材料:硅

  功耗:300mW

  电压容差:± 2%

  封装:SOT-323

  MM3Z系列稳压二*管属性:

MM3Z系列稳压二*管属性

 

  二*管按构造分类:

  半导体二*管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二*管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二*管分类如下:

  点接触型二*管

  点接触型二*管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二*管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。

  键型二*管

  键型二*管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二*管和合金型二*管之间。与点接触型相比较,虽然键型二*管的PN结电容量稍有增加,但正向特性*优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二*管中,熔接金丝的二*管有时被称金键型,熔接银丝的二*管有时被称为银键型。

  合金型二*管

  在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。

  扩散型二*管

  在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。*近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

  台面型二*管

  PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其*要的部分,把不*要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现*面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。

  平面型二*管

  在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上*选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以*为是稳定性好和寿命长的类型。*初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二*管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。

  合金扩散型二*管

  它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把*制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二*管。

  外延型二*管

  用外延面长的过程制造PN结而形成的二*管。制造时需要*高*的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二*管。

  肖特基二*管

  基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其*是:开关速度*快:反向恢复时间trr*地短。因此,能制作开关二*和低压大电流整流二*管。

 

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型号/规格

MM3Z9B1

品牌/商标

中光

封装形式

SOT-323

*类别

无铅*型

安装方式

贴片式

包装方式

散装