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1N5819 SS14定义:
肖特基二*管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,*D是肖特基势垒二*管(SchottkyBarrierDiode,缩写成*D)的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,*D也称为金属-半导体(接触)二*管或表面势垒二*管,它是一种热载流子二*管。
1N5819 SS14作用:
肖特基二*管肖特基(Schottky)二*管,又称肖特基势垒二*管(简称 *D),它属一种低功耗、*速半导体器件。*显著的特点为反向恢复时间*短(可以小到几纳秒),正向导通压降*0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二*管、续流二*管、保护二*管,也有用在微波通信等电路中作整流二*管、小信号检波二*管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用,是在双*型晶体管 BJT 的开关电路里面,通过在 BJT 上连接 Shockley 二*管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而*晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基(Schottky)二*管的*大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要*考虑。
1N5819 SS14
中光
DO-214AC
无铅*型
贴片式
卷带编带包装