供应1N4148WS T4二*管，性能优异、1N4148WS T4二*管稳定耐用

　　二*管的特性曲线

　　与PN结一样，二*管具有单向导电性。硅二*管典型伏安特性曲线（图）。在二*管加有正向电压，当电压值较小时，电流*小；当电压*过0.6V时，电流开始按指数规律*，通常称此为二*管的开启电压；当电压*约0.7V时，二*管处于*导通状态，通常称此电压为二*管的导通电压，用*号UD表示。 　　对于锗二*管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。

　　在二*管加有反向电压，当电压值较小时，电流*小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压*过某个值时，电流开始急剧*，称之为反向击穿，称此电压为二*管的反向击穿电压，用*号UBR表示。不同型号的二*管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

　　设备展示：

　　公司简介：

　　常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市，公司是*的二*管及桥堆生产厂家，下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司；安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产，形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力，*的制造设备、完善的检测手段及*的售后服务，通过了 ISO9001:2000质量体系管理认证、SGS *检测认证及*I认证，从而为客户提供优质的产品和*的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标，产品广泛应用于*及民用领域，为国内多家彩电、*灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务，并远销欧美及东南亚地区，在客户中取得了良好的信誉。

　　公司目标：
　　为客户提供*的二*管全系列产品是全体员工的*圣使命
　　公司愿景：
　　将公司打造成为国际*的半导体分立器件供应商
　　公司方针：
　　以人为本 顾客至上