厂家大量供应*1J二*管，现货*1D二*管，欢迎来电

　　产品详情：
　　是否提供**：是 产品类型：*快速整流二*管 是否*：否
　　品牌：GOOD-ARK型号：*1G/*1J 材料：硅(Si)

　　整流二*管常用参数
　　（1）*大平均整流电流IF：指二*管长期工作时允许通过的*大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二*管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二*管的IF为1A。
　　（2）*高反向工作电压VR：指二*管两端允许施加的*大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二*管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V
　　（3）*大反向电流IR：它是二*管在*高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二*管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二*管质量越好。
　　（4）击穿电压VR：指二*管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
　　（5）*高工作频率fm：它是二*管在正常情况下的*高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率*过fm，则二*管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二*管的fm为3kHz。 　

   　（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及*大反向瞬态电压下的反向恢复时间。
　　（7）*偏压电容CO：指二*管两端电压为*时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二*管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二*管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

　　整流二*管的特性
　　整流二*管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二*管流电流较大,多数采用面接触性料封装的二*管。整流二*管的外形如图1所示，另外，整流二*管的参数除前面介绍的几个外，还有*大整流电流，是指整流二*管长时间的工作所允许通过的*大电流值。它是整流二*管的主要参数，是选项用整流二*管的主要依据。