2SJ181(L) 2SJ18 日本原装*,量大从优,欢迎来电咨询

地区:广东 东莞
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品牌/商标 HIT日本日立 型号/规格 2SJ181(L) 2SJ181(S)
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道
开启电压 4.5(V) 夹断电压 1(V)
跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1.5(dB) *大漏*电流 1000(mA)
*大耗散功率 1000(mW)

品牌

HIT日本日立

型号

2SJ181(L) 2SJ181(S)