标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称

50

分离式半导体产品

FET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

55V

18A

60 毫欧 @ 11A, 10V

2V @ 250µA

15nC @ 5V

480pF @ 25V

45W

通孔

TO-220-3

TO-220AB

管件

深圳科顺龙电子

*IRLZ24NPBF

INTERNATIONAL RE*IFIER - IRLZ24NPBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 55V 18A

• 晶体管*性:ñ频道
• 电流, Id 连续:18A
• 电压, Vds *大:55V
• 在电阻RDS（上）:60mohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
• 功耗, Pd:45W
• 封装类型:TO-220AB
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
• 功率, Pd:45W
• 功耗:45W
• 封装类型:TO-220AB
• 引脚节距:2.54mm
• 晶体管数:1
• 温度 @ 电流测量:25°C
• 满功率温度:25°C
• 漏*电流, Id *大值:18A
• 热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:55V
• 电压, Vgs *高:2V
• 电流, Idm 脉冲:72A
• 表面安装器件:通孔安装
• 阈值电压, Vgs th *高:2V
• • RoHS协从产品: 是

  • RoHS协从证明

  品牌

  IR/国际整流器

  型号

  IRLZ24N IRLZ24NPBF

  种类

  *缘栅(MOSFET)

  沟道类型

  N沟道

  导电方式

  增强型

  用途

  FM/调频

  封装外形

  CER-DIP/陶瓷直插

  材料

  GE-N-FET锗N沟道

  开启电压

  55（V）

  夹断电压

  25（V）

  跨导

  5（μS）

  *间电容

  480（pF）

  低频噪声系数

  5（dB）

  漏*电流

  18（mA）

  耗散功率

  450（mW）

  • mosfet场效应管

  • mosfet引脚

  • 恒泰柯功率MOSFET

  • 电力场效应晶体管

  • FU120N IRFU120N IRFU120NPBF IR场效应管 100V 9.1A **

  • IRFS52N15D FS52N15D TOV60A3.8W IR*原装

  • IRF644PBF IRF644- IR场效应管 MOSFET N 250V 14A 原装

  • 2SK4108 K4108 TO-* 2SK4108(代替2SK2837) 日本东芝场效应管

  • IR场效应管 IRFP054N IRFP054NPBF TO247 *原装

  • F9Z24N IRF9Z24NPBF IRF9Z24N TO-220 IR*原装55V12A45W