原装现货供应IR MOSFET IRFR024NTRPBF IRFR024N IRFR024NTR

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRFR024NTRPBF
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	SW-REG/开关电源
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	55（V）	夹断电压	55（V）
跨导	18（μS）	*间电容	1800（pF）
低频噪声系数	13（dB）	*大漏*电流	7（mA）
*大耗散功率	45（mW）

产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

IRFR024NPbF, IRFU024NPbF

DPAK Pkg

IR Hexfet DPak

2,000

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

75 毫欧 @ 10A, 10V

55V

4V @ 250µA

20nC @ 10V

17A

370pF @ 25V

45W

表面贴装

DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

带卷 (TR)