供应拆机场效应 11N60

地区:广东 汕头
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马明武

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品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

11N660

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)