0.5A 160V场效应K214

地区:广东 汕头
认证:

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          K214:0.5A 160V



品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

K214

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

夹断电压

160(V)

*间电容

23(pF)

低频噪声系数

4(dB)

漏*电流

0.5(mA)