18A 200V 125W场效应管IRF640

地区:广东 汕头
认证:

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品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 IRF640
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 DC/直流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 4(V) 夹断电压 200(V)
*间电容 23(pF) 低频噪声系数 5(dB)
*大漏*电流 18(mA) *大耗散功率 125(mW)

                IRF640:18A 200V <0.18 125W















品牌

ST意法半导体

型号

IRF640