原装*无铅L6562DTR SOP-8

地区:广东 东莞
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品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 L6562DTR
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道
开启电压 210(V) 夹断电压 500(V)
跨导 10(μS) *间电容 0.5(pF)
低频噪声系数 0.3(dB) *大漏*电流 41(mA)
*大耗散功率 140(mW)

品牌

ST意法半导体

型号

L6562DTR