供应*场效应管4N60,2N60

地区:广东 汕头
认证:

方育辉(个体经营)

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1N60.2N60.3N60.4N60.5N60.6N60.7N60.8N60.10N60.11N60.20N60

1N50.2N50.3N50.4N50.5N50.6N50.8N50.11N50

品牌/商标

*童,ST

型号/规格

2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

L/功率放大

封装外形

SP/*外形

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.5(V)

夹断电压

600(V)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)