*场效应管4N60,2N60

地区:广东 汕头
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品牌/商标 *童,ST 型号/规格 2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大
封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 2.5(V) 夹断电压 600(V)
低频跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)

1N60.2N60.3N60.4N60.5N60.6N60.7N60.8N60.10N60.11N60.20N60

1N50.2N50.3N50.4N50.5N50.6N50.8N50.11N50

品牌

*童,ST

型号

2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60