3N60C FQPF3N60场效应管 场效应管 MOSFET N TO-220F

地区:广东 汕头
认证:

陈丽燕

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国产*货(以下参数只供参考)

  • 晶体管*性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:2A
  • 电压, Vds *大:600V
  • 在电阻RDS(上):3.6ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 功耗, Pd:34W
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C
  • 封装类型:TO-220F
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:34W
  • 功耗:34W
  • 封装类型:TO-220F
  • 晶体管数:1
  • 漏*电流, Id *大值:2A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电压, Vgs *高:30V
  • 电流, Idm 脉冲:8A
  • 表面安装器件:通孔安装
是否提供加工定制

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQPF3N60

应用范围

振荡

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCEO

600(V)

集电*允许电流ICM

3(A)

结构

点接触型

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装