贴片 TO-252 IRFR5305 场效应管

地区:广东 汕头
认证:

陈丽燕

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品牌:IR/国际整流器型号:IRFR5305种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型开启电压:55(V)
*大漏*电流:31(mA) *大耗散功率:110(mW)

(以下参数只供参考)

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单路

系列:HEXFET®

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 16A, 10V

漏*至源*电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:31A
Id 时的 Vgs(th)(*大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:63nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1200pF @ 25V

功率 - *大:110W