MOS管 三*管 场效应 IRF630NSTRR IRF630NSTRLPBFTR

数据列表 IRF630N
 
产品相片 D2PAK, TO-263
 
产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK
 
标准包装 800
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 5.4A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 200V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 9.3A
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  575pF @ 25V
 
功率 - *大 82W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
 
供应商设备封装 D2PAK
 
包装 带卷 (TR)
 
产品目录页面 1522 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 IRF630NSTRLPBF-ND
IRF630NSTRLPBFTR