场效应 FDS4953A FDS6612A FDS8984 FDS6690A FDS6612A

数据列表 FDS4953
FDS4953
 
产品相片 8-SOIC
 
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
 
产品变化通告 Cu Wirebond Change 12/Oct/2007
Mold Compound Change 12/Dec/2007
 
产品目录绘图 Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
 
标准包装 2,500
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 阵列 
系列 PowerTrench®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
 
FET 特点 逻辑电平门
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 55 毫欧 @ 5A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 30V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5A
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 3V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 9nC @ 5V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  528pF @ 15V
 
功率 - *大 900mW
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
 
供应商设备封装 8-SOICN
 
包装 带卷 (TR)