贴片电容k 25v 10uf

品牌:TDK 型号:1206B106K250NT 介质材料:陶瓷(瓷介) 应用范围:晶体管电路 外形:圆柱形 功率特性:大功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:无引线 允许偏差:&plu*n;10（%） 耐压值:25（V） 等效串联电阻(*R):标准（mΩ） 标称容量:标准（uF） 损耗:0.005-0 额定电压:220（V） *缘电阻:标准（mΩ） 温度系数:-55-125℃

如何理解电容介质击穿强度
介质强度表征的是介质材料承受*度电场作用而不被电击穿的能力，通常用伏特/密尔（V/mil）或伏特/厘米（V/cm）表示。
当外电场强度*某一临界值时，材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射，产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应，进而导致突发击穿电流击穿介质，使其失效。除此之外，介质失效还有另一种模式，高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降*某一程度，如果在这个程度上延续足夠长的时间，将会在介质*薄弱的部位上产生漏电流。这种模式与温度密切相关，介质强度隨温度*而下降。
任何*缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降，而且和*缘电阻一样，介质强度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积*会导致缺陷隨机出現的概率*，因此介质强度反比于介质层厚度。类似地，介质强度反比于片式电容器內部电*层数和其物理尺寸。基於以上考虑，进行片式电容器留边量设计时需要*在使用过程中和在进行耐压测试（一般为其工作电压的2.5倍）時，不发生击穿失效。

如何理解*缘电阻IR
*缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下*漏电流的能力。
*缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质，其电子被离子键和共价键牢牢束缚住，理论上几乎可以定义该材料的电阻率为*大。但是实际上*缘体的电阻率是有限，并非*大，这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。

电容器的射频电流与功率
这篇文章主要是讨论多层陶瓷电容器的加载电流、功率损耗、工作电压和*大额定电压之间的关系。通过电容的*大电流主要是由*大额定电压和*大功率损耗限制的。电容的容值和工作频率又决定了它们的限制是可调节。对于在固定频率下一个较低容值的电容或者是一个电容在较低的频率下工作，它们的*高电压*限一般都比*大功率损耗的*限到达快一些。
*大的额定电压决定于电容器的阻*（Xc），就好像功率损耗决定于电阻的阻*，或者叫做电容的等效电阻（*R）
Xc是由公式：Xc＝1/[2πFC]计算出来，这里的F是频率，单位是Hz；C是容量，单位是F。
在没有*出电容器的额定电压情况下，允许流过电容的*大电流峰值是这样计算出来的：I=Er/Xc这里的Er是电容器的额定电压，电流是峰值电流，单位是A。
流过电容的实际电流是这样计算出来：I=Ea/Xc，这里的Ea是应用电压或者是实际工作。
下面几个例子是讲解在固定的频率不同的电容器这些变数是怎样影响电压和电流的*限值。
例1：0.1pF，500V的电容器使用在1000MHZ的频率上：
等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(0.1x10－12)]＝1591ohms
电流峰值：I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms.
如果*过这个电流，则工作电压将会*过额定电压。

例2：1.0pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上：
等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(1.0x10－12)]＝159ohms
电流峰值：I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms
如果*过这个电流，则工作电压将会*过额定电压。

例3：10pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上：
等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(10x10－12)]＝15.9ohms
电流峰值：I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms
如果*过这个电流，则工作电压将会*过额定电压。

结论：*大功率损耗值是在假设电容器的端头是一个*大的散热器情况下计算出来得。这时传导到空气中的热量是忽略的。一个10pF,500V的电容器工作在1000MHZ的频率，在功率*限下工作的电流峰值是7A，平均电流大概是5Arms。在这种工作电流情况下，电容器的温度将会升到125℃。为了稳定地工作，它的实际*大工作电流是2Arms，如果端头的散热效果很好可以到达3Arms。

如何理解电容器的静电容量
A.电容量
电容器的基本特性是能够储存电荷（Q），而Q值与电容量（C）和外加电压（V）成正比。
Q=CV
因此充电电流被定义为：
=dQ/dt=CdV/dt
当外加在电容器上的电压为1伏特，充电电流为1安培，充电时间为1秒时，我们将电容量定义为1法拉。
C=Q/V=库仑/伏特=法拉
由于法拉是一个很大的测量单位，在实际使用中很难*，因此通常采用的是法拉的分数，即：
皮法（pF）=10-12F
纳法（nF）=10-9F
微法（mF）=10-6F

B.电容量影响因素
对于任何给定的电压，单层电容器的电容量正比于器件的几何尺寸和介电常数：
C=KA/f(t)
K=介电常数
A=电*面积
t=介质层厚度
f=换算因子
在英制单位体系中，f=4.452，尺寸A和t的单位用英寸，电容量用皮法表示。单层电容器为例，电*面积1.0×1.0″，介质层厚度0.56″，介电常数2500，
C=2500（1.0）（1.0）/4.452（0.56）=10027pF
如果采用公制体系，换算因子f=11.31，尺寸单位改为cm，
C=2500（2.54）（2.54）/11.31（0.1422）=10028pF
正如前面讨论的电容量与几何尺寸关系，*电*面积和减小介质层厚度均可获得更大的电容量。然而，对于单层电容器来说，无休止地*电*面积或减小介质层厚度是不切实际的。因此，平行列阵迭片电容器的概念被提出，用以制造具有更大比体积电容的完整器件。

在这种“多层”结构中，由于多层电*的平行排列以及在相对电*间的介质层*薄，电*面积A得以大大增加，因此电容量C会随着因子N（介质层数）的增加和介质层厚度t’的减小而*。这里A’指的是交迭电*的重合面积。
C=KA’N/4.452（t’）
以前在1.0×1.0×0.56″的单片电容器上所获得的容量，现在如果采用相同的介质材料，以厚度为0.001″的30层介质相迭加成尺寸*为0.050×0.040×0.040″的多层元件即可获得（这里重合电*面积A’为0.030×0.020″）。
C=2500（0.030）（0.020）30/4.452（0.01）=10107pF
上面的实例表明在多层结构电容器尺寸相对于单层电容器小700倍的情况下仍能提供相同的电容量。因此通过优化几何尺寸，选择有很高介电常数和良好电性能（能在形成薄层结构后保持良好的*缘电阻和介质强度）的介质材料即可设计和制造出具有*大电容量体积系数的元件。

电容的型号命名

各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：
*部分：用字母表示名称，电容器为C。
第二部分：用字母表示材料。
第三部分：用数字表示分类。
第四部分：用数字表示序号。

电容的标志方法

（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
（2）文字*号法：用数字、文字*号有规律的组合来表示容量。文字*号表示其电容量的单位：P、N、U、M、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10PF的电容，其允许偏差用字母代替：B——&plu*n;0.1PF，C——&plu*n;0.2PF，D——&plu*n;0.5PF，F——&plu*n;1PF。
（3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为PF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正*引出线的根部，所表示的意义如下表所示：

颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V
（4）*电容器的标志方法：*电容器一般有6项组成。
*项：用字母表示类别：
第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。
第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：
第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表*数值，数字代表被乘数的10的幂。
第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为*数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是PF，电解电容器的单位是UF。
第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。
3．电容的主要特性参数：
（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的*大偏差范围。一般分为3级：I级&plu*n;5%，II级&plu*n;10%，III级&plu*n;20%。在有些情况下，还有0级，误差为&plu*n;20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——&plu*n;0.5%；F——01级——&plu*n;1%；G——02级——&plu*n;2%；J——I级——&plu*n;5%；K——II级——&plu*n;10%；M——III级——&plu*n;20%。
（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、*工作，所承受的*大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。
（3）温度系数：在*温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。
（4）*缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，*缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的*缘电阻一般较小。相对而言，*缘电阻越大越好，漏电也小。
（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。
（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如*片电阻、引线和*片间的电阻、*片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。*这些，使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器，*高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。

贴片电容的种类、特点、精度

单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就*X公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们*就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是*X公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也*间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
封装DC="50V" DC="100V"
0805 330PF---0.056μF 330PF---0.012μF
1206 1000PF---0.15μF 1000PF---0.047μF
1210 1000PF---0.22μF 1000PF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56Μf

我公司是做原金士顿的数码卡u盘贴片电容电阻压敏电阻等电容器

交易方式：请我支付宝或可以网上银行转账（*次合作先转钱再发货，第二次就可以货到付款）

其实编带与原庄错不多就是漏电率不一样原的就是千分之一而编带就是千分之三，质量方面加以检查就没问题了。

我公司会根据客户提供的信息，按客户的要求发货及检查。

销售后如发现质量问题，公司可以按客户的要求去做（要换货或退货都行）但是公司规定就在一个月内可无条件退货或换货，价格*对优势。

有意请联系：杨先生

联系：

QQ：1483060613或390956870

邮件：1483060613@qq.com或390956870@qq.com

地址：深圳市福田区华发北路龙胜通讯市场4层4A051室