KCD可控硅2P4M/TO-202

主要参数：

通态电流IT(*)=2A

浪涌电流ITSM=20A

正向耐压VDRM＞600V

反向耐压VRRM＞600V

触发电流IGT＜200uA(微触发)

通态压降VTM＜2.2V(4A)

直接代换(NEC)型号包括：2P4M，2P6M

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2006年，公司凭借强大的研发优势，
积*开发出大电流高电压单双向可控硅，
以满足不同电子行业的需要。
批量生产*高压产品系列如下：

BCA60-1600:单硅,30A/>1600V/IGT<30mA,TOP3
BTA12-800B:双硅,12A/>800V/IGT1-3<50mA,TO-220AB
BTA16-800B:双硅,16A/>800V/IGT1-3<50mA,TO-220AB
BTA24-800B:双硅,25A/>800V/IGT1-3<50mA,TO-220AB
BTA24-1000B:双硅,25A/>1000V/IGT1-3<50mA,TO-220AB
BTA26-800B:双硅,25A/>800V/IGT1-3<50mA,TOP3
BTA41-1000B:双硅,40A/>1000V/IGT1-3<50mA,TOP3
BTA41-1200B:双硅,40A/>1200V/IGT1-3<50mA,TOP3
BT139X-800E:双硅,16A/>800V/IGT<10mA,TO-220FP
BT151-800R:单硅,12A/>800V/IGT<15mA,TO-220AB
BT152-800R:单硅,20A/>800V/IGT<32mA,TO-220AB