铌酸锂

1、掺氧化镁铌酸锂晶体

   用途：Mgo:LiNbO3晶体被广泛用于倍频和光参量振荡，也可以用来加工电光Q开关。

   特点：Mgo:LiNbO3晶体可以承受很高的功率而没有光折射率损伤。

   尺寸：Q开关元件尺寸一般为9×9×25mm，其中9×9mm是通光面。倍频元件尺寸一般为5×5×12mm，其中5×5mm是通光面。产品尺寸也可以根据用户要求确定。

   光学质量：无生长条纹，双折射率梯度一般为10-5/cm

   相位匹配：I类，临界或非临界。对非临界区配Tpm在100C左右。

   类型：对临界匹配，在80C左右，对1064nm-532nm。

镀膜：对倍频，两光学面对1064nm和532nm双波长增透，对Q开关，两光学面对1064nm增透。

2、掺铁铌酸锂晶体

   用途：Fe:LiNbO3晶体用于光学存储

   光学质量：无生长条纹，双折射率梯度一般为10-5/cm

 尺寸：按需求提供

3、其他掺杂光学级铌酸锂晶体

  按需定制晶体。