铌酸锂
地区:四川 德阳
认证:
无
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产品属性
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1、掺氧化镁铌酸锂晶体
用途:Mgo:LiNbO3晶体被广泛用于倍频和光参量振荡,也可以用来加工电光Q开关。
特点:Mgo:LiNbO3晶体可以承受很高的功率而没有光折射率损伤。
尺寸:Q开关元件尺寸一般为9×9×25mm,其中9×9mm是通光面。倍频元件尺寸一般为5×5×12mm,其中5×5mm是通光面。产品尺寸也可以根据用户要求确定。
光学质量:无生长条纹,双折射率梯度一般为10-5/cm
相位匹配:I类,临界或非临界。对非临界区配Tpm在100C左右。
类型:对临界匹配,在80C左右,对1064nm-532nm。
镀膜:对倍频,两光学面对1064nm和532nm双波长增透,对Q开关,两光学面对1064nm增透。
2、掺铁铌酸锂晶体
用途:Fe:LiNbO3晶体用于光学存储
光学质量:无生长条纹,双折射率梯度一般为10-5/cm
尺寸:按需求提供
3、其他掺杂光学级铌酸锂晶体
按需定制晶体。
光开关型
1(mm)
1(nm)
单电源型
多通道
固体
透过型外光路
中红外
激光晶体
是
3
四川聚能
Q开关
光泵式
低速
可调谐式