FQPF6NV的N沟道MOSFET
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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类型 | 稳压IC | 品牌/商标 | FAIRCHILD |
型号/规格 | FQPF6N60 | 封装 | DIP/SMD |
批号 | 10+ |
FQPF6N60 600V的N沟道MOSFET
FQPF6N60
600V的N沟道MOSFET
一般描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,
平面条形,DMOS技术。
这种*的技术,*是针对已
*大限度地减少通态电阻,提供出色的开关
性能,经受住了在*量脉冲
雪崩和减刑模式。这些器件*
适用于高效率开关模式电源。
特点
•3.6A,600V的,的RDS(on)=1.5Ω@的VGS=10伏
•低栅*电荷(典型的20北卡罗来纳州)
•低Crss(典型的10pF)的
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv /dt的能力
FAIRCHILD
FQPF6N60