原装*童IGBT单管FGL40N120AN

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，*缘栅双*型晶体管，是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
　　图1所示为一个N 沟道增强型*缘栅双*晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电*称为源*。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电*称为栅*。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT *的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双*晶体管，起发射*的作用，向漏*注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电*称为漏*。
　　IGBT 的开关作用是通过加正向栅*电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基*电流，使IGBT 导通。反之，加反向门*电压消除沟道，切断基*电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，*控制输入*N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻*特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基*注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。