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拆机场效应管2SK2098，耗尽型MOS管N沟道

地区：广东 揭阳
认证： 无

陈水波

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品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK2098
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 =（V） 夹断电压 =（V）
低频跨导 =（μS） *间电容 =（pF）
低频噪声系数 =（dB） *大漏*电流 =（mA）
*大耗散功率 =（mW）