供应功率三*管 BD435

地区:广东 深圳
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BD435-10 电 特 性 - 参 数

名称: BD435-10

材料: Si

结构: npn

*大耗散功率 (Pc): 36W

集电* -- 基*击穿电压 (Ucb): 32V

集电* -- 发射*击穿电压 (Uce): 32V

发射* -- 基*击穿电压 (Ueb): 5V

*大集电*电流 (Ic max): 4A

*高结温BD435-10(Tj): 150?C

特征频率 (ft): 3MHz

集电*电容 (Cc), Pf: 30

直流电流增益 (hFE), min/max: 63/160

制造商: NSC

案例: TO126

是否提供加工定制

品牌/商标

PHILIPS/飞利浦

型号/规格

BD435

应用范围

功率

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCBO

32(V)

集电*允许电流ICM

4(A)

集电*耗散功率PCM

36(W)

截止频率fT

3(MHz)

结构

点接触型

封装形式

直插型

封装材料

玻璃封装