产品详情

快恢复二*管

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市灿域电子有限公司

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品牌/商标 强茂 型号/规格 全系列
产品类型 快恢复二*管 结构 点接触型
材料 硅 封装形式 直插型
封装材料 玻璃封装 功率特性 大功率
频率特性 高频 正向直流电流IF FDG（A）
*高反向电压 FGH（V）

Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA812


Document number: BL/SSSTC010 www.galaxycn.com
Rev.A 1
FEATUR*
z Commplementary to 2SC1623.
Pb
Lead-free
z High DC current gain:h
FE
=200t*.
(V
CE
=-6.0V,I
C
=-1.0mA)
z High Voltage: V
CEO
=-50VSilicon Epitaxial Planar Transistor 2SA812


Document number: BL/SSSTC010 www.galaxycn.com
Rev.A 1
FEATUR*
z Commplementary to 2SC1623.
Pb
Lead-free
z High DC current gain:h
FE
=200t*.
(V
CE
=-6.0V,I
C
=-1.0mA)
z High Voltage: V
CEO
=-50V

Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA812


Document number: BL/SSSTC010 www.galaxycn.com
Rev.A 1
FEATUR*
z Commplementary to 2SC1623.
Pb
Lead-free
z High DC current gain:h
FE
=200t*.
(V
CE
=-6.0V,I
C
=-1.0mA)
z High Voltage: V
CEO
=-50V